蚀刻工艺与5G通信器件制造
文章出处:未知 人气:发表时间:2025-04-21 22:07
5G通信技术对高频器件的性能要求,推动蚀刻工艺向介电材料处理与三维集成方向演进。
毫米波天线阵列加工
液晶聚合物(LCP)基板的天线线路蚀刻需解决材料各向异性难题。采用氧等离子体与氟碳气体的组合蚀刻方案,通过调整离子轰击角度控制蚀刻方向性,实现10微米线宽精度。对于三维天线结构,激光辅助湿法蚀刻在聚酰亚胺基材上加工倾斜通孔,满足波束成形所需的相位调节需求。
滤波器金属腔体成形
体声波(BAW)滤波器的金属谐振腔通过干法蚀刻实现。铝钪氮(AlScN)薄膜的蚀刻采用BCl₃/Cl₂混合气体,通过调节射频功率控制蚀刻速率与侧壁角度,确保谐振频率稳定性。硅基空腔则采用DRIE工艺加工,侧壁钝化层厚度控制在5纳米以内,减少声波传播损耗。
高频PCB介质层处理
低损耗介质材料(如Rogers RO3003)的盲孔加工依赖等离子体蚀刻。CF₄/O₂混合气体在介电层中形成锥形孔结构,通过调整气体比例控制孔壁坡度,优化信号传输完整性。表面粗化处理采用化学微蚀刻技术,在树脂中暴露玻璃纤维形成微观锚定结构,提升铜层结合力。
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