精密电子元件对微米级结构的依赖，推动蚀刻技术向更高精度与材料兼容性演进，成为芯片、传感器等器件的制造基石。

高密度互连（HDI）板加工

• 盲孔与埋孔蚀刻：通过激光钻孔+化学蚀刻（FeCl₃溶液）形成直径50微米、深宽比1:1的微孔，实现20层PCB的垂直互连。

• 铜线路精细化：干膜掩膜结合酸性蚀刻液（H₂SO₄/H₂O₂），线宽精度±2微米，用于5G基站高频电路板。

MEMS传感器蚀刻突破

• 硅深反应离子蚀刻（DRIE）：交替使用SF₆刻蚀与C₄F₈钝化，加工加速度计中200微米深、侧壁垂直度＞89°的悬臂梁结构。

• 玻璃通孔（TGV）蚀刻：氢氟酸气相蚀刻在硼硅玻璃上形成直径10微米通孔，用于三维封装中介层。